【专利摘要】本发明涉及到一种制造电线电缆屏蔽层及电器连接的复合铜箔膜的生产工艺,具体是一种复合铜箔膜生产工艺。工艺步骤如下:步骤一、选用聚脂薄膜为绝缘层,用干式复合机在聚脂薄膜的一表面涂绝缘胶液;步骤二、用烘干机烘干聚脂薄膜;步骤三、电解液制作;将阴极铜、浓硫酸、软水、蒸汽混合溶解,生成硫酸铜溶液作为电解液;向硫酸铜溶液中连续添加低分子量胶原蛋白;步骤四、取电解铜箔,用压辊机将电解铜箔的一面与聚脂薄膜进行粘合,形成复合铜薄膜;步骤五、收卷机收卷;步骤六、用分切机分切复合铜箔膜,制成成品。本发明工艺生产出来的复合铜箔膜具有导电性能好、厚度均匀、表面不易氧化且压合工序中不易翘曲等优点。
【专利说明】一种复合铜箔膜生产工艺
【技术领域】
[0001]本发明涉及到一种制造电线电缆屏蔽层及电器连接的复合铜箔膜的生产工艺。
【背景技术】
[0002]我国推动覆铜板发展的动力主要是大众化消费类电子产品,如计算机用硬盘驱动器、软盘驱动器、手机、笔记本电脑、照相机、摄录机、掌上电脑等便携式电子产品和平板显示产品。中国电子产业“十一五”仍处于高速发展期,作为基础的上游覆铜板行业发展速度必定高于电子行业发展。
[0003]覆铜板分刚性覆铜板(简称CCL)和挠性覆铜板(简称FCCL),其中刚性覆铜板用铜箔近几年得到很大的发展,但挠性覆铜板用铜箔没有得到发展,还是被日本、韩国控制。
[0004]“十一五”规划中,电子信息产业将获得更大的发展,而作为电子信息产业基础原材料之一的覆铜板行业中的挠性覆铜板如果得不到同步发展,势必掣肘我国电子强国战略的实施,因此迫切的需要国内的铜箔企业研发生产技术,批量生产挠性覆铜板用铜箔。
[0005]铜箔膜广泛使用于电线电缆屏蔽层及电器连接上,目前国内生产的铜箔,是经过冷轧、延压、高温退货形成的,其纯度差,厚薄不均,且其表面氧化现象较严重,使用性能不佳,且使用寿命较短。
[0006]电解铜箔生产过程当中,铜箔会产生一定应力,当应力较大时,铜箔就会产生翘曲现象,使覆铜板的自动化压合系统无法使用,大大降低了生产效率,用应力较大的铜箔,阿和薄板,会造成板材翘曲,影响覆铜板品质。
【发明内容】
[0007]本发明针对上述缺陷,目的在于提供一种制造导电性能好、厚度均匀且其表面不易氧化的复合铜箔膜的生产工艺。
[0008]为了实现上述技术目的,本发明采用的技术手段是:
一种复合铜箔膜生产工艺,工艺步骤如下:
步骤一、选用聚脂薄膜为绝缘层,用干式复合机在聚脂薄膜的一表面涂绝缘胶液; 步骤二、用烘干机烘干聚脂薄膜;
步骤三、电解液制作;将阴极铜、浓硫酸、软水、蒸汽混合溶解,生成硫酸铜溶液作为电解液;向硫酸铜溶液中连续添加低分子量胶原蛋白,所述胶原蛋白的分子量包括:1000?10000道尔顿,电解液中胶原蛋白浓度:10-40ppm ;混合充分后进入电解槽进行生产原箔;步骤四、取电解铜箔,用压辊机将电解铜箔的一面与聚脂薄膜进行粘合,形成复合铜薄膜;
步骤五、收卷机收卷,并把收卷好的复合铜箔膜放置在烘烤箱内烘烤,烘烤箱的温度控制在50~70°C,烘烤时间为36~50小时;
步骤六、用分切机分切复合铜箔膜,制成成品。
[0009]所述电解液的工艺条件包括Cu2+ 60-90g/l,H2SO4 30_50g/l,温度为45_50°C ;电流密度7000A/m2。
[0010]所述工艺条件为:Cu2+ 70-80g/l,H2SO4 30_40g/l,温度为48_50°C,电流密度7000A/m2o
[0011]所述胶原蛋白分子量的选择为1000道尔顿。
[0012]电解后制得的铜箔在其另一面上电镀有l~3ym厚度的金属钛。
[0013]本发明一种复合铜箔膜生产工艺的有益效果:
本发明采用电解铜箔为导电层,其厚度比较均匀、纯度高,且在电解铜箔的表面镀有一层金属钛做导电或屏蔽面不易氧化,且其导电性能优于铜。
[0014]本发明铜电解液中采用低分子量胶原蛋白作为添加剂,同时通过调整电解液的铜酸浓度和温度,能够有效降低电解铜箔内应力,同时降低铜箔因应力造成的翘曲,有助于解决覆铜板自动压合系统无法使用和薄板翘曲问题。
【具体实施方式】
[0015]以下给出本发明的【具体实施方式】,用来对本发明的构成进行进一步说明。但本发明的实施并不限于以下实施例。
[0016]实施例一、
本实施例的复合铜箔膜生产工艺,包括以下工艺过程:
步骤一、选用聚脂薄膜为绝缘层,用干式复合机在聚脂薄膜的一表面涂绝缘胶液; 步骤二、用烘干机烘干聚脂薄膜;
步骤三、电解液制作;将阴极铜、浓硫酸、软水、蒸汽混合溶解,生成硫酸铜溶液作为电解液;向硫酸铜溶液中连续添加低分子量胶原蛋白,所述胶原蛋白的分子量包括:1000道尔顿,电解液中胶原蛋白浓度:25ppm ;混合充分后进入电解槽进行生产原箔;电解液的工艺要求范围为Cu2+ 70g/1, H2SO4 30g/l,温度为50°C ;电流密度7000A/m2。
[0017]步骤四、取电解铜箔,用压辊机将电解铜箔的一面与聚脂薄膜进行粘合,形成复合铜薄膜;在其另一面上电镀有1~3μπι厚度的金属钛。
[0018]步骤五、收卷机收卷,并把收卷好的复合铜箔膜放置在烘烤箱内烘烤,烘烤箱的温度控制在50 °C,烘烤时间为36小时;
步骤六、用分切机分切复合铜箔膜,制成成品。
[0019]实施例二、
本实施例的复合铜箔膜生产工艺,包括以下工艺过程:
步骤一、选用聚脂薄膜为绝缘层,用干式复合机在聚脂薄膜的一表面涂绝缘胶液; 步骤二、用烘干机烘干聚脂薄膜;
步骤三、电解液制作;将阴极铜、浓硫酸、软水、蒸汽混合溶解,生成硫酸铜溶液作为电解液;向硫酸铜溶液中连续添加低分子量胶原蛋白,所述胶原蛋白的分子量包括:1000道尔顿,电解液中胶原蛋白浓度:25ppm ;混合充分后进入电解槽进行生产原箔;铜电解液的工艺要求范围为Cu2+ 80g/l,H2SO4 40g/l,温度为48°C;电流密度7000A/m2。所述添加剂为:3000道尔顿分子量胶原蛋白,电解液中胶原蛋白浓度:20 ppmo
[0020]步骤四、取电解铜箔,用压辊机将电解铜箔的一面与聚脂薄膜进行粘合,形成复合铜薄膜;在其另一面上电镀有1~3μπι厚度的金属钛。
[0021]步骤五、收卷机收卷,并把收卷好的复合铜箔膜放置在烘烤箱内烘烤,烘烤箱的温度控制在60 °C,烘烤时间为40小时;
步骤六、用分切机分切复合铜箔膜,制成成品。
[0022]实施例三、
本实施例的复合铜箔膜生产工艺,包括以下工艺过程:
步骤一、选用聚脂薄膜为绝缘层,用干式复合机在聚脂薄膜的一表面涂绝缘胶液; 步骤二、用烘干机烘干聚脂薄膜;
步骤三、电解液制作;将阴极铜、浓硫酸、软水、蒸汽混合溶解,生成硫酸铜溶液作为电解液;向硫酸铜溶液中连续添加低分子量胶原蛋白,所述胶原蛋白的分子量包括:1000道尔顿,电解液中胶原蛋白浓度:25ppm ;混合充分后进入电解槽进行生产原箔;电解液的工艺要求范围为Cu2+80g/l,H2SO4 40g/l,温度为48°C;电流密度7000A/ m2。所述添加剂为:1000道尔顿低分子量胶原蛋白,电解液中胶原蛋白浓度:25 ppm。
[0023]步骤四、取电解铜箔,用压辊机将电解铜箔的一面与聚脂薄膜进行粘合,形成复合铜薄膜;在其另一面上电镀有1~3μπι厚度的金属钛。
[0024]步骤五、收卷机收卷,并把收卷好的复合铜箔膜放置在烘烤箱内烘烤,烘烤箱的温度控制在65 °C,烘烤时间为36小时;
步骤六、用分切机分切复合铜箔膜,制成成品。
[0025]实施例四、
本实施例的复合铜箔膜生产工艺,包括以下工艺过程:
步骤一、选用聚脂薄膜为绝缘层,用干式复合机在聚脂薄膜的一表面涂绝缘胶液; 步骤二、用烘干机烘干聚脂薄膜;
步骤三、电解液制作;将阴极铜、浓硫酸、软水、蒸汽混合溶解,生成硫酸铜溶液作为电解液;向硫酸铜溶液中连续添加低分子量胶原蛋白,所述胶原蛋白的分子量包括:1000道尔顿,电解液中胶原蛋白浓度:25ppm ;混合充分后进入电解槽进行生产原箔;电解液的工艺要求范围为Cu2+ 80g/l, H2SO4 40g/l,温度为48°C;电流密度7000A/ m2。所述添加剂为:5000道尔顿分子量胶原蛋白,电解液中胶原蛋白浓度:15 ppm。
[0026]步骤四、取电解铜箔,用压辊机将电解铜箔的一面与聚脂薄膜进行粘合,形成复合铜薄膜;在其另一面上电镀有1~3μπι厚度的金属钛。
[0027]步骤五、收卷机收卷,并把收卷好的复合铜箔膜放置在烘烤箱内烘烤,烘烤箱的温度控制在70 °C,烘烤时间为50小时;
步骤六、用分切机分切复合铜箔膜,制成成品。
[0028]本发明采用少于10000道尔顿分子量胶原蛋白做添加剂能有效的降低电解铜箔的内应力。生产出来的复合铜箔具有粘合性好、抗氧化性、导电性好,压合工序中不易蹊跷,生产效率高等特点。
【权利要求】
1.一种复合铜箔膜生产工艺,其特征在于,工艺步骤如下: 步骤一、选用聚脂薄膜为绝缘层,用干式复合机在聚脂薄膜的一表面涂绝缘胶液; 步骤二、用烘干机烘干聚脂薄膜; 步骤三、电解液制作;将阴极铜、浓硫酸、软水、蒸汽混合溶解,生成硫酸铜溶液作为电解液;向硫酸铜溶液中连续添加低分子量胶原蛋白,所述胶原蛋白的分子量包括:1000?10000道尔顿,电解液中胶原蛋白浓度:10-40 ppm ;混合充分后进入电解槽进行生产原箔; 步骤四、取电解铜箔,用压辊机将电解铜箔的一面与聚脂薄膜进行粘合,形成复合铜薄膜; 步骤五、收卷机收卷,并把收卷好的复合铜箔膜放置在烘烤箱内烘烤,烘烤箱的温度控制在50~70°C,烘烤时间为36~50小时; 步骤六、用分切机分切复合铜箔膜,制成成品。
2.如权利要求1所述的复合铜箔膜生产工艺,其特征在于,所述电解液的工艺条件包括 Cu2+ 60-90g/l,H2SO4 30-50g/l,温度为 45-50°C ;电流密度 7000A/m2。
3.如权利要求1所述的复合铜箔膜生产工艺,其特征在于,所述工艺条件为:Cu2+70-80g/l,H2SO4 30-40g/l,温度为 48_50°C,电流密度 7000A/m2。
4.如权利要求1所述的复合铜箔膜生产工艺,其特征在于,所述胶原蛋白分子量的选择为1000道尔顿。
5.如权利要求1~4中任一权利要求所述的复合铜箔膜生产工艺,其特征在于,电解后制得的铜箔在其另一面上电镀有1~3 μ m厚度的金属钛。
【文档编号】B32B15/20GK104494233SQ201410678535
【公开日】2015年4月8日 申请日期:2014年11月24日 优先权日:2014年11月24日
【发明者】邵剑 申请人:南通新世纪机电有限公司
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